Navegando por Autor "Suela, Jefferson"
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Item Caracterização estrutural de pontos quânticos e filmes ultrafinos de CdTe/Si(111)(Universidade Federal de Viçosa, 2007-03-09) Suela, Jefferson; Carvalho, Alexandre Tadeu Gomes; http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4787153D2; Ferreira, Sukarno Olavo; http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4786429E5; http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4599582T1; Munford, Maximiliano Luis; http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4791596H8; Paniago, Rogério Magalhães; http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4782962H2; Anjos, Virgilio de Carvalho dos; http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4782111Y6Neste trabalho, foi feita a caracterização estrutural e morfológica de pontos quânticos e filmes ultrafinos de CdTe crescidos sobre substrato de Si(111) passivado com hidrogênio. As amostras foram crescidas por epitaxia de paredes quentes e caracterizadas por microscopia de força atômica e difração de raios- especular e incidência rasante.As analises das imagens de microscopia de força atômica mostram a existência de ilhas isoladas de formato piramidal, mostrando que o crescimento segue o modo Volmer-Weber. As medidas de difração de raios-X, mostram que apesar do considerável descasamento do parâmetro de rede (19%) as ilhas crescem epitaxialmente, seguindo a direção cristalográfica [111] do substrato de silício. A analise cuidadosa das medidas de difração com incidência rasante permite determinar as dimensões lateral e vertical dos pontos quânticos e a observar existência de uma pequena quantidade de pontos quânticos girados de 30º no plano de crescimento.