Estudo do processo de nucleação de CdTe crescido sobre Si (111) por epitaxia de paredes quentes (HWE)

Abstract

Este trabalho faz uma breve revisão das técnicas de crescimento de cristais, tanto volumétricas, quanto em camadas. São abordadas as técnicas Czocrhalski, Bridgman, Epitaxia por Fase Líquida, por Fluxo Molecular e de Paredes Quentes. Esta última técnica é utilizada no crescimento de filmes de CdTe sobre substratos de Si. A caracterização das amostras produzidas é feita por microscopia de força atômica, técnica que é descrita em detalhes. Finalmente são apresentados os resultados do estudo sobre o processo de nucleação do CdTe sobre Si e discutida a possibilidade de utilização deste processo na fabricação de pontos quânticos auto-formados.

This work makes a brief revision of crystal growth techniques. It describes the techniques Czocrhalski and Bridgman, used for bulk crystal growth, and also Liquid Phase Epitaxy, Molecular Beam Epitaxy and Hot Wall Epitaxy, which are used for the growth of thin layers. The last technique (HWE) is used in the experimental part of this work for the growth of CdTe films on Si(111) substrates. The characterization of the produced samples is done by Atomic Force Microscopy. The results obtained about the nucleation process of CdTe on Si(111) are presented and the possibility of the use of this technique in the production of self-assembled quantum dots is discussed.