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https://locus.ufv.br//handle/123456789/4226
Tipo: | Dissertação |
Título: | Estudo da rugosidade de filmes finos de telureto de cádmio crescidos por epitaxia de paredes quentes |
Título(s) alternativo(s): | Study of the roughness cadmium telluride of the thin films grown by hot wall epitaxy |
Autor(es): | Ribeiro, Igor Renato Bueno |
Primeiro Orientador: | Ferreira, Sukarno Olavo |
Primeiro coorientador: | Ferreira Junior, Silvio da Costa |
Segundo coorientador: | Menezes Sobrinho, Ismael Lima |
Primeiro avaliador: | Chame, Anna Maria Nóbrega |
Segundo avaliador: | Teixeira, álvaro Vianna Novaes de Carvalho |
Abstract: | Neste trabalho estudamos o efeito da temperatura do substrato sobre os expoentes de Hurst (H) e de crescimento (β), em filmes policristalinos de telureto de cádmio crescidos sobre vidro coberto com óxido de estanho dopado com flúor. Para medir os expoentes e suas dependências em relação à temperatura crescemos amostras por 30 a 660 minutos e variamos as temperaturas dos substratos no intervalo de 150 a 300 ºC. Os perfis de altura da superfície das amostras foram medidas em varreduras de 300 μm através de um perfilômetro (XP1 - AMBIOS), o qual possui resolução vertical de 1,5 Å em 10 mm e resolução lateral de 100 nm. A partir desses dados foram determinados os expoentes H e β. O expoente de Hurst aumenta linearmente de 0,72 a 0,80 e o expoente de crescimento aumenta exponencialmente de 0,14 a 0,62, em função da temperatura. A rugosidade global também aumenta com a temperatura do forno do substrato, tornando-a um bom parâmetro para o controle da rugosidade. In this work, we have studied the effect of growth temperature on Hurst (H) and growth exponents (β) for cadmium telluride polycrystalline layers grown on glass substrate covered by fluorine doped tin oxide. In order to measure the exponents and their temperature dependence, we have grown samples with growth times between 30 and 660 minutes at substrate temperatures between 150 and 300 ºC, in order to determine H e β. The samples height profiles were measured in scan lengths of 300 μm with stylus profiler (XP1 - AMBIOS) with a vertical resolution of 1.5 Å at 10 mm setting and lateral resolution of 100 nm. The Hurst exponent increases linearly from 0.72 to 0.80, and the growth exponent increases exponentially from 0.14 to 0.62, with temperature. The global roughness also increases with growth temperature, which turns to be a very good parameter for roughness control. |
Palavras-chave: | Rugosidade Telureto de cádmio Epitaxia de paredes quentes Roughness Cadmium telluride Hot wall epitaxy |
CNPq: | CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA::FISICA DA MATERIA CONDENSADA |
Idioma: | por |
País: | BR |
Editor: | Universidade Federal de Viçosa |
Sigla da Instituição: | UFV |
Departamento: | Física Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos. |
Citação: | RIBEIRO, Igor Renato Bueno. Study of the roughness cadmium telluride of the thin films grown by hot wall epitaxy. 2008. 85 f. Dissertação (Mestrado em Física Teórica e Computacional; Preparação e Caracterização de Materiais; Sensores e Dispositivos.) - Universidade Federal de Viçosa, Viçosa, 2008. |
Tipo de Acesso: | Acesso Aberto |
URI: | http://locus.ufv.br/handle/123456789/4226 |
Data do documento: | 15-Mai-2008 |
Aparece nas coleções: | Física Aplicada |
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